флеш-память

Представлен модуль флэш-памяти Toshiba NAND со стеком из 16 кристаллов

Компания Toshiba сообщила о разработке нового модуля флэш-памяти NAND со стеком из 16 кристаллов на базе технологии «сквозных кремниевых межсоединений» - Through Silicon Via. Прототип ... Читать далее

Представлена 48-слойная флеш-память Toshiba BiCS FLASH

Компания Toshiba анонсировала новое поколение флеш-памяти с трехмерной многослойной структурой ячеек BiCS FLASH. По словам производителей: новинка стала первым в мире 256-гигабитным 48-слойным устройством BiCS ... Читать далее

Представлена новая технология 3D XPoint от Intel и Micron

Корпорация Intel и Micron Technology, Inc. представили технологию 3D XPoint, которая представляет собой энергонезависимую память, способную повысить скорость работы различных устройств, приложений и сервисов, которым ... Читать далее

Toshiba внедряет 130 и 65 нм в микросхемы памяти

Toshiba Corporation анонсировала новый техпроцесс производства интегрированной флеш-памяти 65 нм с пониженным энергопотреблением, а также техпроцесс производства энергонезависимой памяти (NVM) с поликремниевым затвором 130 нм. ... Читать далее

Micron и Intel анонсировали флеш-память 3D NAND

Micron и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, позволяющей создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек памяти. Новая технология 3D ... Читать далее

всего: 5 | отображение: 1 - 5